DRAM 单元的结构极其简单:
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存储元件: 一个电容 (Capacitor)。
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电容充电(存储大量电荷)代表逻辑 1。
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电容放电(存储少量或没有电荷)代表逻辑 0。
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存取元件: 一个晶体管(NMOS 或存取晶体管)。
- 作为开关,控制电容与位线(Bit Line)的连接。
DRAM 单元的结构极其简单:
存储元件: 一个电容 (Capacitor)。
电容充电(存储大量电荷)代表逻辑 1。
电容放电(存储少量或没有电荷)代表逻辑 0。
存取元件: 一个晶体管(NMOS 或存取晶体管)。