1. 核心解构 (The Kernel)
- 局部性原理 (Locality):这是整个存储层次存在的理论基础。
- 时间局部性:刚被访问过的单元,很可能马上又被访问(如循环变量)。
- 空间局部性:刚被访问过的单元的邻居,很可能马上被访问(如数组元素)。
- 层次金字塔:
- 寄存器 (Register):CPU 内部,最快,容量最小。
- Cache (L1/L2/L3):SRAM,纳秒级,MB 级。
- 主存 (Main Memory):DRAM,几十纳秒,GB 级。
- 辅存 (Disk/SSD):非易失性,毫秒级,TB 级。
2. 性能指标 (Metrics)
- 存取时间 (TA):读/写一次存储器所需时间。
- 存储周期 (TMC):连续两次访问的最小间隔。注意 TMC>TA(因为电路需要恢复时间)。
- 带宽 (Bandwidth):单位时间传输的数据量。
- 多模块存储器:
- 交叉编址 (Interleaving):低位交叉。连续地址分布在不同模块,允许流水线式并发读取,带宽提升明显。
- 对比:顺序编址(高位交叉)适合扩容,不适合提升带宽。
| 术语 | 核心特征 | 典型代表 |
|---|
| RAM | 存取时间固定,与位置无关 | 内存条 |
| SAM | 顺序查找,时间取决于位置 | 磁带 |
| DAM | 随机定位 + 顺序查找 | 机械硬盘 |
| 相联存储器 | 按内容查找 | TLB, Cache Tag |
| SRAM | 触发器存储,快,不用刷新 | Cache |
| DRAM | 电容存储,慢,需要刷新 | 主存 |
| 易失性 | 断电丢数据 | RAM |
| 非易失性 | 断电保数据 | ROM, 硬盘 |
3. 关联链接
- DRAM原理:为什么 DRAM 需要刷新?(电容漏电)。
- SRAM原理:为什么 Cache 用 SRAM?(双稳态触发器,快但贵)。